چین ذخیره سازی و انتقال داده های کارآمد با حافظه مدار یکپارچه

ذخیره سازی و انتقال داده های کارآمد با حافظه مدار یکپارچه

Capacity: 2Gb
Access Time: Non-Volatile
Data Retention: 166 MHz
چین ذخیره داده در 166 MHz حافظه مدار یکپارچه با زمان دسترسی غیر قابل فرار

ذخیره داده در 166 MHz حافظه مدار یکپارچه با زمان دسترسی غیر قابل فرار

Voltage: 1.7V ~ 2V
Data Transfer Rate: 1.8ms
Access Time: Non-Volatile
چین حافظه مدار یکپارچه 2Gb ظرفیت عملکرد قدرتمند در 1.7V - 2V

حافظه مدار یکپارچه 2Gb ظرفیت عملکرد قدرتمند در 1.7V - 2V

Data Retention: 166 MHz
Capacity: 2Gb
Voltage: 1.7V ~ 2V
چین حافظه مدار یکپارچه غیر ناپایدار دسترسی قابل اعتماد به داده ها با ولتاژ 1.7V - 2V

حافظه مدار یکپارچه غیر ناپایدار دسترسی قابل اعتماد به داده ها با ولتاژ 1.7V - 2V

Data Retention: 166 MHz
Data Transfer Rate: 1.8ms
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
VIDEO چین حافظه مدار یکپارچه غیر قابل فرار با ذخیره داده 166 MHz و ولتاژ 1.7V ~ 2V

حافظه مدار یکپارچه غیر قابل فرار با ذخیره داده 166 MHz و ولتاژ 1.7V ~ 2V

نرخ انتقال داده: 1.8 میلی‌ثانیه
محدوده دمای عملیاتی: -40 درجه سانتی گراد ~ 125 درجه سانتی گراد (TA)
زمان دسترسی: غیر فرار
VIDEO چین مدار یکپارچه ذخیره سازی 166MHz ذخیره سازی داده 1.7V-2V

مدار یکپارچه ذخیره سازی 166MHz ذخیره سازی داده 1.7V-2V

نرخ انتقال داده: 1.8 میلی‌ثانیه
حفظ داده ها: 166 مگاهرتز
ولتاژ: 1.7 ولت ~ 2 ولت
چین معرفی حافظه مدار یکپارچه با ظرفیت 2 گیگابایت برای ذخیره سازی داده های کارآمد

معرفی حافظه مدار یکپارچه با ظرفیت 2 گیگابایت برای ذخیره سازی داده های کارآمد

Capacity: 2Gb
Voltage: 1.7V ~ 2V
Data Transfer Rate: 1.8ms
چین زمان دسترسی غیر ناپایدار حل حافظه مدار یکپارچه مدیریت داده های کارآمد

زمان دسترسی غیر ناپایدار حل حافظه مدار یکپارچه مدیریت داده های کارآمد

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Type: Integrated Circuit Storage
Data Transfer Rate: 1.8ms
چین حافظه مدار یکپارچه با کارایی بالا 1.8ms نرخ انتقال 166 MHz ذخیره داده

حافظه مدار یکپارچه با کارایی بالا 1.8ms نرخ انتقال 166 MHz ذخیره داده

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Data Transfer Rate: 1.8ms
Voltage: 1.7V ~ 2V
چین زمان دسترسی حافظه مدار یکپارچه غیر قابل فرار با حافظه مدار یکپارچه

زمان دسترسی حافظه مدار یکپارچه غیر قابل فرار با حافظه مدار یکپارچه

Voltage: 1.7V ~ 2V
Access Time: Non-Volatile
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
1 2 3 4